دانلود مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری

مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری

فرمت فایل دانلودی: .zip
فرمت فایل اصلی: docx
تعداد صفحات: 13
حجم فایل: 1801 کیلوبایت
قیمت: 28500 تومان

توضیحات:

مقاله ترجمه شده رشته مهندسی برق با عنوان مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری CMOS  شصت و پنج نانومتری، در قالب فایل word و در حجم 13 صفحه، همراه با مقاله انگلیسی زبان اصلی. 

عنوان مقاله زبان اصلی:

New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology

ترجمه چکیده:

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

فهرست مطالب:

چکیده 

مقدمه

مشخصه های زیرآستانه ای در فناوری 65 نانومتر

تحلیل DC

تاثیر Stacking در فناوری 65 نانومتر

فلیپ فلاپ در ناحیه زیرآستانه ای

فلیپ فلاپ لچ هیبریدی

فلیپ فلاپ تقویت کننده حسگری

نتیجه گیری

پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.

دانلود سایر پروژه